Навигация

Популярные статьи
  • «Site Ok‎»: Ваш надежный партнер в продвижении и раскрутке сайтов

  • Авторские и переводные статьи

    Пресс-релизы

    Регистрация на сайте


    Опрос
    Какие телеканалы вы смотрите чаще?







    Новая технология нанесения транзисторов - распыление полупроводникового материала, подобно краске, из пульверизатора


    3 апреля 2010 | Наука и технологии / На русском языке | Добавил: OlegD
    В настоящее время технологии изготовления полупроводников и компьютерных чипов достигли невиданных высот, позволяя изготавливать миниатюрные микросхемы с высокой степенью интеграции компонентов. Но, когда дело касается электроники, располагающейся на большой площади с достаточно низким уровнем интеграции - тут дело заметно "хромает". Именно поэтому в настоящее время электронные устройства с большой площадью достаточно дороги, а это, к примеру, экраны с большой диагональю, солнечные батареи и т.п. Но, ученые из Национального института Стандартов и Технологий (National Institute of Standards and Technology, NIST) заявили о том, что им удалось разработать простую и дешевую технологию нанесения полупроводниковых транзисторов на поверхность практически не ограниченной площади.

    В отличие от кремниевых транзисторов компьютерных чипов, которые изготавливаются методом фото или электронной литографии, транзисторы, изготавливаемые по технологии NIST, изготавливаются простым распылением из движущегося пульверизатора полупроводникового материала, который осаждается на подложку из кремния с золотым напылением, на которой заранее подготовлена необходимая структура будущей электронной схемы. В качестве полупроводникового материала используется раствор органического полупроводника P3HT (poly(3-hexylthiophene)), который осаждается на поверхность и формирует на положке полупроводниковые p-n переходы.

    Естественно, что после такого нанесения на поверхность, слой P3HT имеет неравномерную толщину и неровную поверхность. Такой результат вызывает массу проблем в других технологиях изготовления полупроводников, но не в этом случае. Полупроводниковые эффекты возникают в точках соприкосновения кремния и материала P3HT, т.е. на нижней части нанесенного покрытия. "Полученные таким образом электронные схемы функционируют вполне нормально" - говорит по этому поводу Кэлвин Чен (Calvin Chan), инженер-электронщик из NIST.

    Ученые NIST признают, что перевод полученной экспериментальной технологии на практические рельсы состоится еще не скоро, однако, после усовершенствования технологии, ее внедрение может привести буквально к обвалу цен на экраны больших размеров и солнечные батареи.

    Источник: dailytechinfo
    Комментарии (0) | Распечатать | | Добавить в закладки:  

    Другие новости по теме:


     



    Телепрограммы для газет и сайтов.
    25-ть лет стабильной работы: телепрограммы, анонсы, сканворды, кроссворды, головоломки, гороскопы, подборки новостей и другие дополнительные материалы. Качественная работа с 1997 года. Разумная цена.

    Форум

    Фоторепортажи

    Авторская музыка

    Погода

    Афиша

    Кастинги и контакты ТВ шоу

    On-line TV

    Партнеры

    Друзья

    Реклама

    Статистика
    Главная страница  |  Регистрация  |  Добавить новость Copyright © 2002-2012 Все о ТВ и телекоммуникациях. Все права защищены.