Организация Hybrid Memory Cube Consortium (HMCC) выпустила черновую версию спецификации HMC Gen2 для инновационной памяти Hybrid Memory Cube (HMC).
Напомним, что архитектура HMC основана на методике TSV (through-silicon vias), предусматривающей формирование многослойных чипов с медными каналами в их структуре, выполняющими функции проводников. В HMC-модулях TSV-соединения проходят сквозь чипы DRAM от логики, расположенной снизу и предоставляют высокий уровень параллельных связей. Утверждается, что по сравнению с DDR3 память HMC обеспечивает 15-кратное увеличение производительности при уменьшенном на 70% энергопотреблении и экономии пространства на 90%.
Первая версия спецификации HMC была опубликована в апреле 2013 года. В соответствии с ней HMC использует каналы из 16 или 8 полнодуплексных дифференциальных последовательных линий, каждая из которых работает со скоростью в 10, 12,5 или 15 Гбит/с. Таким образом, канал из 16 линий, работающих на 10 Гбит/с, имеет пропускную способность в 40 Гбайт/с (20 Гбайт/с на приём и 20 Гбайт/с на передачу).
Спецификация HMC Gen2 предусматривает увеличение скорости передачи данных. Каждая линия сможет обеспечивать пропускную способность до 30 Гбит/с. Публикация финальной версии спецификации намечена на середину нынешнего года.
Отметим, что образцы памяти Hybrid Memory Cube в виде изделий ёмкостью 2 Гбайт уже предлагает компания Micron Technology. Они состоят из четырёх уложенных друг на друга 4-гигабитных модулей, а пропускная способность достигает 160 Гбайт/с.
В консорциум HMCC, помимо Micron, входят такие компании, как Altera, ARM, IBM, Open-Silicon, Samsung, SK hynix и Xilinx.
Источник: 3dnews.ru
|
