Компании Samsung и Micron объединили свои усилия в разработке новой технологии компьютерной памяти. Корейский производитель присоединился к проекту Hybrid Memory Cube Consortium, который ставит задачей создание новой технологии сверхплотной компьютерной памяти, которая должна быть более быстрой, более эффективной и более дешевой, чем существующие образцы DRAM. Так называемые Hybrid Memory Cubes должны обеспечить резкий скачок в производительности и архитектуре. По расчетам скорость возрастет в 15 раз в сравнении с DDR3, экономия в размерах составит 90% в сравнении с RDIMM, а энергопотребление сократится на 70% на каждый бит. Этот прирост в компактности и энергоэффективности в первую очередь будет актуален для мобильных устройств, которые ограничены емкостью аккумулятора, габаритными размерами и весом.
Для достижения успеха компании Samsung и Micron должны полностью пересмотреть развитие своих проектов, в результате чего должна быть создана полностью новая архитектура, которая объединит высокоскоростной логический процесс и технологию through-silicon-via (TSC) применительно к памяти. Это позволит обеспечить многоядерные системы в процессорах и графических адаптерах соответствующей их требованиям памятью. Никаких точных сроков, в которые НМС-память появится пока не называется. Ожидается, что технические спецификации такой памяти для промышленности будут выработаны в 2012 году. Представители компаний Samsung и Micron рассчитывают, что другие производители компьютерной памяти присоединятся к их проекту.
Источник: Mobile Review
|
