Навигация

Популярные статьи
  • Сучасне застосування плівки на авто — звичайні та незвичайні способи

  • Авторские и переводные статьи

    Пресс-релизы

    Регистрация на сайте


    Опрос
    Какие телеканалы вы смотрите чаще?







    Intel и Micron представляют 25-нанометровую память Nand, созданную в соответствии с нормами самого современного технологического процесса в полупроводниковой индустрии


    1 февраля 2010 | IT-новости / На русском языке / Америка / Пресс-релизы | Добавил: Сергей Никандров
    Intel и Micron представляют 25-нанометровую память Nand, созданную в соответствии с нормами самого современного технологического процесса в полупроводниковой индустрииСАНТА-КЛАРА (Калифорния), БОЙСЕ (Айдахо), 1 февраля 2010 г.Intel и Micron Technology* объявили о запуске 25-нанометровой (25-нм) технологии производства NAND-памяти, которая позволяет снизить производственные издержки и увеличить емкость хранилищ данных популярных потребительских устройств – смартфонов, медиаплееров и твердотельных накопителей.

    Флэш-память NAND используется для хранения пользовательских файлов в потребительской электронике. Данные сохраняются и при выключенном электропитании. Уменьшение топологии чипов NAND позволяет расширять сферу применения этого типа памяти. 25-нм технологический процесс является не только наименьшим при изготовлении микросхем NAND, но и наиболее прогрессивным сегодня в полупроводниковой индустрии в целом. Это достижение позволяет увеличить количество музыкальных, видеофайлов и других данных, хранящихся в карманных устройствах и персональных компьютерах.

    IM Flash Technologies* (IMFT), совместное предприятие Intel и Micron* по выпуску флэш-памяти, приступило к производству модулей NAND емкостью 8 ГБайт. Площадь решения составляет 167 мм2; оно помещается в отверстие в центре компакт-диска. Обладая такими размерами, модуль способен вместить данные 10 компакт-дисков емкостью 700 мегабайт каждый.

    «Выход в абсолютные лидеры полупроводниковой индустрии по топологии производства является для Intel и Micron* феноменальным достижением, - убежден вице-президент Micron* по выпуску флэш-памяти Брайан Ширли (Brian Shirley). – Мы уже работаем над тем, как уменьшить техпроцесс в дальнейшем. Новая производственная технология открывает значительные преимущества перед нашими клиентами – ведь теперь они получают решения с еще большей емкостью».

    Сконцентрировав инвестиции в разработку и исследования флэш-памяти, Intel и Micron* получили возможность удваивать плотность NAND-чипов приблизительно каждые 18 месяцев. Этот процесс ведет к постоянному уменьшению размеров продукции, повышению ее емкости и снижению производственных затрат. Сегодня, с переходом на 25-нм процесс, компании улучшают производственный цикл и укрепляются на рынке в качестве инноваторов, предлагая наименьший размер ячеек памяти в индустрии.

    «Путем инвестирования в IMFT мы добиваемся лидерства в технологической гонке и производим надежную NAND-память с максимально эффективным использованием производственных ресурсов, - комментирует Том Рэмпоун (Tom Rampone), вице-президент и генеральный директор Intel NAND Solutions Group. – Это ускоряет распространение твердотельных накопителей на рынке вычислительных систем».

    В настоящее время ведутся поставки тестовых образцов 8-гигабайтных модулей 25-нм NAND-памяти. Серийное производство планируется во II квартале 2010 г. Устройство использует многоуровневую структуру ячеек (MLC) с хранением в каждой двух битов данных. Решение помещается в стандартный тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами (TSOP). В новом модуле число чипов, по сравнению с решениями на базе техпроцессов предыдущих поколений, сокращено на 50%. Это позволяет конструировать еще более вместительные решения с меньшим коэффициентом производственных затрат. Для увеличения емкости производитель может использовать несколько модулей. Например, один SSD емкостью 256 ГБайт можно содержать 32 новых модуля вместо 64; для 32 Гбайтного хранилища в смартфоне требуется 4 модуля, а для 16-гигабайтной карты памяти – всего два.

    Полезные ссылки

    Блог Micron: www.micronblogs.com
    Micron в сети Twitter: http://twitter.com/microntechnews
    Конференц-зал Micron: www.micron.com/media
    Конференц-зал Intel: www.intel.com/pressroom
    Блог Intel: www.blogs.intel.com
    Intel в сети Twitter: http://twitter.com/intelnews


    О корпорации Intel
    Intel – ведущий мировой производитель инновационных полупроводниковых компонентов – разрабатывает технологии, продукцию и инициативы, направленные на постоянное повышение качества жизни людей и совершенствование методов их работы. Дополнительную информацию о корпорации Intel можно найти на веб-сайте www.intel.ru/pressroom и на русскоязычном Web-сервере компании Intel (http://www.intel.ru).

    О компании Micron
    Micron Technology, Inc. - крупнейший поставщик современных полупроводниковых решений. Работая на глобальном рынке, Micron выпускает и продает NAND- и DRAM-память, другие полупроводниковые компоненты и модули памяти для использования в современных компьютерах, потребительской электронике, сетевом оборудовании и мобильных продуктах. Обыкновенные акции Micron котируются на бирже NASDAQ под символом MU. Чтобы узнать больше о Micron Technology, посетите www.micron.com.

    Intel и логотип Intel являются товарными знаками корпорации Intel в США и других странах.

    *Другие торговые марки и товарные знаки являются собственностью их законных владельцев.


    Источник: Пресс-служба "Sparkmarketing"
    Комментарии (0) | Распечатать | | Добавить в закладки:  

    Другие новости по теме:


     



    Телепрограммы для газет и сайтов.
    25-ть лет стабильной работы: телепрограммы, анонсы, сканворды, кроссворды, головоломки, гороскопы, подборки новостей и другие дополнительные материалы. Качественная работа с 1997 года. Разумная цена.

    Форум

    Фоторепортажи

    Авторская музыка

    Погода

    Афиша

    Кастинги и контакты ТВ шоу

    On-line TV

    Партнеры

    Друзья

    Реклама

    Статистика
    Главная страница  |  Регистрация  |  Добавить новость Copyright © 2002-2012 Все о ТВ и телекоммуникациях. Все права защищены.