Инженеры HKUST создали акустический радиочастотный чип, который выдерживает более чем в 12 раз высокую нагрузку и значительно меньше нагревается.
Акустические элементы используются в смартфонах и базовых станциях для фильтрации радиочастотных сигналов. При высокой мощности интенсивные колебания вызывают перегрев, смещение частоты, миграцию атомов в электродах и разрушение тонких слоёв устройства.
Команда Гонконгского университета науки и технологий разработала архитектуру Layered Acoustic Wave. В ней вибрирующая поверхность тонкоплёночного ниобата лития закрыта изолирующим слоем диоксида кремния и более толстым слоем аморфного кремния.
При испытаниях преобразователей, работающих на частоте свыше двух миллиардов колебаний в секунду, повышение температуры уменьшилось на 70 процентов. Предельная плотность мощности достигла рекордных 36,4 ватта на квадратный миллиметр, а допустимая нагрузка выросла более чем в 12 раз.
Разработка может использоваться в сетях 6G, компактных преобразователях энергии и системах прямой спутниковой связи со смартфонами. О разработке подробно сообщили 21 июля 2026 года, а научная работа была опубликована в Nature Communications 22 апреля 2026 года.
Дополнительный источник: Nature Communications.
Новый акустический чип выдерживает в 12 раз большую мощность для 6G и спутниковой связи
Источник: HKUST / Tech Xplore