Отмечается, что партнёры намерены задействовать так называемую нанопечатную литографию (Nanoimprint Lithography). Эта методика предназначена для переноса изображения наноструктуры или электронной схемы на подложку с покрытием. Технология предусматривает деформацию покрытия штампом с последующим травлением деформированного покрытия и формированием на подложке наноструктуры или элементов схемы. С помощью нанопечатной литографии можно получать наноструктуры размером менее 10 нм на достаточно больших площадях, что недоступно для всех других методов литографии.
Научно-исследовательские работы будут производиться на заводе Toshiba в городе Йоккаити в префектуре Миэ (Япония). Массовое производство 15-нанометровой флеш-памяти NAND запланировано на 2015 год.
Добавим, что на днях Toshiba заявила о разработке самого быстрого в мире контроллера для встраиваемой NAND-памяти. Утверждается, что флеш-модуль с новым контроллером обеспечивает на порядок более высокую производительность по сравнению с традиционными eMMC-картами.