Samsung запустила серийное производство микросхем оперативной памяти объемом 3 Гбайт для мобильных устройств. Чипы, тестирование которых началось в конце апреля, опираются на LPDDR3-стандарт и созданы по 20-нм технологическому процессу. Новинки характеризуются повышением производительности: 2133 Мбит/с на контакт, что вдвое быстрее свойств LPDDR2-микросхем. Первым коммерческим продуктом с 3 Гбайт оперативной памяти должен стать Samsung Galaxy Note III, чье появление намечено на начало осени.
Микросхемы емкостью 0,5 Гбайт каждая укладываются в стопки по три единицы. Два таких штабеля общей толщиной 0,8 мм, что тоньше нынешних чипов, составляют 3-Гбайт объем с двумя симметричными каналами обмена данными. Новейший восьмиядерный процессор Samsung Exynos 5420 Octa поддерживает искомую двухканальную конфигурацию.
Изделию свойственна не только повышенная скорострельность, но и улучшенная энергоэффективность с компактностью. Последние характеристики позволят продлить автономность работы смартфонов, в том числе благодаря высвободившимся из-за уменьшения размеров пространством, пригодном для установки аккумуляторов большей емкости.
Учитывая, что типичный объем оперативной памяти в персональных компьютерах сейчас составляет 4 Гбайт, можно смело утверждать: смартфоны неумолимо надвигаются на ПК, готовясь полностью изменить представления о карманных вычислениях.
Источник: Сотовик
|
