Южнокорейская компания Samsung объявила о создании нового типа оперативной памяти, предназначенной для смартфонов, планшетов и других портативных устройств, передает Samsung Hub. По сравнению с распространенными DDR-чипами новинка расходует на 87% меньше энергии и обладает в 8 раз бóльшей пропускной способностью.
Роста производительности удалось достичь за счет увеличенного количества контактов подключения чипа со стандартных 32 до 512. Таким образом, показатель пропускной способности памяти нового типа составляет 12,8 ГБ/с.
Сначала Samsung намерена поставлять чипы объемом 128 МБ, выполненные по 50-нанометровой технологии. Позднее компания сфокусируется на производстве 20-нанометровых чипов объемом 512 МБ.
Источник: Onliner.by
|
