Не секрет, что очень часто пользователям не удается воспользоваться преимуществами, которые дает связь 3G по сравнению с обычной связью второго поколения. Грубо говоря, от 3G пользователь ждет высокой скорости подключения к Сети в любое время и в любом месте (где есть покрытие). Однако на практике скорость подключения нередко оставляет желать лучшего. Глава компании Anadigics, выпускающей компоненты для мобильных телефонов, Марио Ривас (Mario Rivas) считает, что все дело в элементной базе, используемой на современном этапе. Мобильный телефон регулирует мощность приемо-передающего тракта в зависимости от условий связи (отдаленность базовой станции, бетонные перекрытия зданий, деревья и проч.). А по утверждению Риваса, усилители мощности на КМОП технологии работают весьма неэффективно, что отрицательно сказывается как на времени автономной работы телефона, так и качестве передаваемого сигнала. Последнее в свою очередь заставляет снижать скорость передачи данных.
Основным компонентом чипов КМОП является поликристаллический кремний. Ривас считает, что замена кремния на арсенид галлия (GaAs) в усилителях значительно улучшит характеристики телефонов. За счет более высокой подвижности электронов приборы на GaAs могут работать с более высокой частотой и генерировать меньше шума нежели кремниевые. А современные усилители мощности на GaAs демонстрируют КПД до 45% - уровень недостижимый для кремниевых приборов. Это, как считают в Anadigics, может стать ключевым моментом для дальнейшего развития сотовой связи 3G/4G и будущих поколений. Так что в ближайшей перспективе в компании прогнозируют рост потребности в чипах на арсениде галлия.
Источник: 3dnews
|
