Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в индустрии NAND флеш-памяти с трехмерной структурой упаковки чипа и вертикальным расположением ячеек. Как отмечает производитель, новинка позволяет преодолеть существующие ограничения масштабируемости энергонезависимой памяти. 3D V-NAND с выгодным соотношением производительности и размера будет применяться в широком спектре потребительской электроники и корпоративных приложений, в том числе встраиваемой NAND-памяти и твердотельных накопителях.
Первый чип Samsung V-NAND объемом 128 Гбит использует технологию 3D Charge Trap Flash (CTF), обеспечивающую большую надежность работы и одновременно позволяющую снизить стоимость чипов флеш-памяти по сравнению с классическими ячейками с плавающим затвором, а также технологию многослойной компоновки с вертикальными внутричиповыми соединениями. По данным производителя, новая 3D V-NAND не только демонстрирует увеличение надежности от 2 до 10 раз, но и вдвое повышает скорость записи по сравнению с обычной NAND-памятью с плавающим затвором, также изготовленной по процессу 10-нм класса.
Еще одной особенностью Samsung V-NAND является вертикальная компоновка ячеек, позволяющая объединить до 24 слоев в одном чипе памяти. При этом специальная технология травления позволяет сформировать вертикальные проводящие каналы, соединяющие слои от верхнего до нижнего. Новая вертикальная структура поможет Samsung выпускать NAND флеш-память более высокой емкости за счет увеличения числа 3D-слоев ячеек вместо дальнейшего наращивания площади чипа, приводящего к непропорциональному росту трудозатрат на его производство.
Источник: Ferra
|
