Подобные решения найдут широкое применение в производстве смартфонов, планшетов и SSD-накопителей, благодаря высокой производительности и миниатюрным размерам. Технологический процесс изготовления подобных чипов составляет всего 19 нанометров, а применение технологии х3 позволит компании производить NAND флэш-память с возможностью чтения/записи трех бит информации на каждую ячейку.
Подобная комбинация 19-нанометрового техпроцесса, девятого поколения многоуровневых ячеек (MLC) и пятого поколения технологии x3 позволяет уместить большие объемы информации в каждой ячейке памяти, несмотря на уменьшение физических размеров. Производительность нового решения составляет 18 Мб/сек, что достигается за счет запатентованной SanDisk архитектуры Advanced All Bit Line (ABL). Подробную информацию о своих наработках компания планирует сообщить на международной конференции Solid-State Circuits Conference (ISSCC) в Сан-Франциско.
Источник: OsZone
|
