Новая память выпускается на основе 20-нм техпроцесса и обеспечивает скорость обмена данными до 2133 Мбит/с на один контакт.
При объединении четырёх 6-гигабитных чипов в один модуль производители получат 3 ГБ оперативной памяти LP-DDR3, размеры которого окажутся на 20% меньше аналогов. При этом память окажется на 30% производительнее и будет потреблять на 10% меньше энергии, чем такие же 3 ГБ модули, собранные из предыдущего поколения 6-гигабитных LP-DDR3 чипов.
Источник: expert.com.ua
|
