Intel переведёт SSD на использование 25 нм памяти

Не первый раз в наших новостях мелькает информация о намерениях компании Intel наладить в четвёртом квартале поставки твёрдотельных накопителей на базе памяти, основанной на более тонком техпроцессе по сравнению с нынешним 34-нанометровым. До сих пор считалось, что Intel и Micron будут выпускать память по 28 нм технологии, и это позволит создавать SSD объёмом до 600 Гб.

Однако, как поясняет американский сайт AnandTech, в действительности Intel и Micron начали поставки образцов 25 нм твёрдотельной памяти уже в текущем квартале. Память, содержащая по 2 бита информации в каждой ячейке, будет выпускаться на совместном предприятии Intel и Micron. Если по темпам освоения 34 нм технологии Intel и Micron опередили конкурентов в среднем на полгода, то отрыв по темпам освоения 25 нм технологии достигнет одного года. Использование памяти с тремя битами информации на ячейку в сегменте SSD не оправдывает себя из-за проблем с быстродействием и надёжностью - в рамках существующих технологических процессов производители предпочитают использовать такую память для USB-накопителей.

Переход от технологических норм 34 нм к 25 нм позволит увеличить ёмкость памяти в два раза при сохранении прежней себестоимости. Это вызовет как появление более ёмких накопителей, так и снижение цен на модели существующих объёмов. В четвёртом квартале Intel представит SSD объёмом 600 Гб. Поддержка ONFi 2.2 обеспечивает скорость передачи информации на уровне 200 Мб/с. С переходом на 25 нм технологию Intel также увеличит размеры страницы и блоков памяти. К 2012 году Intel и Micron могут освоить поставки 10 нм памяти. Массовое производство 25 нм памяти будет налажено во втором квартале, на рынке соответствующие накопители появятся до конца года.