Компания Hynix Semiconductor представила новую мобильную SDRAM-память DDR с плотностью 4 Гбит. Отличительной особенностью новой оперативной памяти является то, что она поддерживается будущей платформой Intel Moorestown, разработанной специально для использования в мобильных интернет-устройствах (MID).
Новые модули SDRAM-памяти Hynix с плотностью 4 Гбит имеют максимальную рабочую скорость 400 Мбит/с, что позволяет им обрабатывать до 1,6 Гб данных в секунду при использовании с 32-битным интерфейсом. Кроме того, новая память Hynix соответствует стандартам JEDEC и предназначена для использования в будущих мобильных устройствах, включая MID, нетбуки и смартфоны с повышенными требованиями к плотности и скорости работы DRAM. Еще одним преимуществом новой памяти должно стать ее низкое энергопотребление.
Hynix предлагает свои новые модули памяти на 4 Гбит в MCP и POP-упаковках, а массовое производство этих устройств планируется развернуть до конца третьего квартала.
Источник: Ferra
|
