Исследователи сообщили о структуре с характерным масштабом 0,42 нм, которая теоретически позволит продолжить уменьшение транзисторов после исчерпания возможностей классического кремния.
ScienceDaily опубликовал материал 9 августа 2026 года со ссылкой на рецензируемую работу. Авторы подчёркивают, что до промышленного производства необходимы годы процессной отладки и интеграция с существующими fab-линиями.
Новость приходит на фоне рекордных инвестиций в AI-ускорители, где каждый нанометр lithography напрямую влияет на стоимость и энергопотребление дата-центров.
Подробности: Подробности
Прорыв 0,42 нм может вывести транзисторы за пределы кремния
Источник: ScienceDaily