"Нашей группе удалось, используя потенциальную яму в структуре полупроводника и другие квантовые явления, эффективно охладить электроны и препятствовать их дальнейшему нагреву при движении внутри материала, имеющего комнатную температуру" - рассказывает Сеонг Чжин Кох (Seong Jin Koh), профессор из Техасского университета, - "Конечно, охлаждать электроны до сверхнизкой температуры людям удавалось уже достаточно давно, но это делалось лишь при помощи специальных криогенных систем охлаждения, обычно используемых энтузиастами-оверклокерами, или путем полного погружения устройства в ванну с жидким азотом или жидким гелием".
Для предотвращения возбуждения электронов и удержания их в охлажденном состоянии ученые использовали уникальную наноразмерную структуру полевого транзистора. В эту структуру вошли электрод истока, потенциальная яма, туннельный барьер, квантовая точка, второй туннельный барьер и электрод стока. В структуре этого транзистора возникают достаточно сложные физические и квантовые явления, описать которые простым понятным языком, к сожалению, не предоставляется никакой возможности.
Несмотря на сложность происходящих в полупроводнике явлений, структура такого транзистора может быть легко изготовлена при помощи существующих промышленных технологий. А внедрение транзисторов, работающих на охлажденных электронах, в процессоры и другие чипы позволит сократить потребление энергии электронными устройствами минимум в 10 раз. Это, в свою очередь, позволит использовать аккумуляторные батареи меньшей емкости или кардинально увеличить время непрерывной работы мобильных телефонов, планшетных компьютеров и другой портативной электронной техники от одного заряда их аккумуляторной батареи.
Источник: www.dailytechinfo.org