Контрактный производитель United Microelectronics (UMC), по словам исполнительного директора Шина-Вея Сана (Shih-Wei Sun), собирается активно осваивать 14-нм производственные нормы, использующие технологию FinFET (так называемые 3D-транзисторы). Господин Сан подчёркивает, что использование FinFET обязательно для производителей чипов, чтобы «Закон Мура» продолжал работать.
Также глава UMC отмечает, что переход на новый техпроцесс должен приносить 25-процентный прирост производительности и уменьшать примерно на столько же стоимость отдельного транзистора — при таких показателях он будет окупаться. Но переход на 20-нм нормы с 28-нм приводит к тому, что стоимость оборудования для двойного литографического формирования рисунка растёт, а производительность может быть улучшена лишь на 15%. Переход на 3D-транзисторы поможет добиться более впечатляющего соотношения производительности и стоимости.
Шин-Вей Сан отмечает, что UMC приняла решение агрессивно разрабатывать 14-нм FinFET техпроцесс, который позволит добиться оптимальной энергоэффективности и производительности, способных компенсировать затраты, связанные с переходом на технологию двойного литографического формирования рисунка.
Одновременно господин Сан сказал, что компания уже довела до стадии tape out первые мобильные 28-нм HKMG чипы, а массовое производство намечено на начало следующего года. Новых данных по прогнозам продаж 28-нм и 20-нм чипов компания не сообщает. Ранее UMC планировала довести доходы от 28-нм производства к концу 2012 года до 5% от всего объёма поступлений, а производство 20-нм чипов мелкими партиями начать во второй половине 2013 года.
Источник: 3dnews.ru
|
