Физики из Швеции и Германии представили прототип транзистора на основе графена и соединения кремния и углерода, которому не требуются металлические электроды. По словам ученых, роль электродов играют полоски графена, соединенные с карбидом кремния, являющимся полупроводником.
По словам исследователей, функции фрагментов графена зависят от типа соединения между ними и углеродно-кремниевой подложкой. Например, если между графеном и полупроводником существует прочная химическая связь, то контакт между ними способен проводить электрический ток, сообщает «РИА Новости».
При отсутствии таких связей полоска графена превращается в так называемый барьер Шоттки, который возникает при контакте полупроводника с пластиной из некоторых металлов. Высокая электропроводность металла и относительно низкая проницаемость полупроводника создают барьер на границе контакта, ускоряющий движение электронов из полупроводника в металл, и препятствует обратному току электричества.
Физики воспользовались этим эффектом и разработали транзистор из двух химически связанных полосок графена и одного графенового барьера Шоттки. Экспериментальный прототип протестировали при разных температурах и напряжениях. При комнатной температуре он продемонстрировал достаточно низкие токи утечки (12000:1), при температуре −53 градуса Цельсия этот показатель достигает 74000:1 (отношение силы тока во «включенном» и «выключенном» состояниях).
По словам ученых, транзисторы способны работать на частотах от 1 МГц и выше, а улучшение свойств графенового барьера Шоттки позволит в будущем обойти кремниевые аналоги.
Источник: onliner
|
