Господин Чианг отмечает, что первоначально компания планировала предоставлять два 20-нм техпроцесса: высокопроизводительный и энергоэффективный, оба с применением металлических затворов с высокой диэлектрической проницаемостью (HKMG). Но после ряда шагов в этом направлении в TSMC осознали, что заметной разницы между двумя 20-нм техпроцессами нет по причине того, что расстояния между элементами схем очень малы и приближаются к физическим пределам, так что почти не остаётся возможности для оптимизации дизайна с помощью различной длины металлических затворов и внесения других изменений.
TSMC предлагает для 28-нм норм 4 техпроцесса: высокопроизводительный, энергоэффективный, энергоэффективный с применением HKMG и высокопроизводительный для мобильных чипов. TSMC ожидает, что производство на 20-нм техпроцессе HKMG начнётся уже в следующем году, а в 2015 году компания собирается начать 14-нм производство с применением транзисторов FinFET 3-D. Но для 14-нм норм будет необходимо применением литографии в крайнем ультрафиолетовом диапазоне (EUV), а многие сомневаются, что она подоспеет вовремя. В результате TSMC может предложить 18-нм или 16-нм нормы. TSMC очень тщательно рассматривает возможность освоения этих переходных норм, ибо в таком случае компании придётся предлагать их в течении 10 лет.
Источник: 3dnews.ru
|
