Исследовательская группа из Тайваня и Университета Калифорнии прогнозирует, что CMOS-память наномасштаба вскоре будет создана. Такая память будет работать с так называемыми наноточками и ее скорость будет в 10-100 раз выше, чем у современной RAM-памяти. При этом, исследователи говорят, что процесс производства будущих чипов будет совместим с нынешними технологиями производства интегральных схем.
Совместной группе исследователей удалось создать кремниевую память на базе наноточек размеры которых не превышали 3 нанометра. Наноточки размещались на слое непроводящего материала, а сверху были закрыты тонким металлическим слоем. Базовый слой, точка и металлический слой формируют разновидность транзистора, а каждая точка представляет собой логический бит информации. Состояние точки изменяется под воздействием зеленого лазера, позиционируемого на металлический затвор сверху. За короткий промежуток времени луч позволяет металлу передать точке то или иное состояние, выполняя роль затвора.
Сами разработчики называют свою концепцию энергонезависимой памятью с квантовыми точками и металлическим затвором. Скорость записи или стирания данных здесь составляет менее 1 микросекунды. По их словам, наноточка фактически меняет свое положение и кодирует информацию под воздействием температуры, генерируемой лучом лазера.
Авторы разработки говорят, что из всех видов энергонезависимой памяти созданная ими концепция является самой скоростной и по скорости даже превышает работу DRAM-памяти, которая зависит от наличия электрического поля.
Источник: CyberSecurity
|
