В настоящее время технология управления различными электронными устройствами, в частности, мобильными телефонами, с помощью жестов и движений рук является одним из самых перспективных направлений развития интерфейса пользователя. Именно поэтому такому управлению уделяется достаточно много внимания и уже разработано достаточно большое количество самых разнообразных систем, реализующих управление с помощью жестов. Но, большинство из имеющихся технологии, так или иначе, основаны на отслеживании и распознавании движений с помощью изображения, получаемого с камеры, или с помощью других приспособлений как, к примеру, этот двунаправленный дисплей. Группа немецких ученых из Института Фраунгофера (Fraunhofer Institute) пошли по совершенно иному пути. Они создали тонкопленочный датчик, который регистрирует самые ничтожные изменения температуры и давления в окружающем его пространстве, которые возникают от приближения и движения пальцев возле поверхности датчика.
Этот датчик, разработанный в лаборатории Silicate Research (ISC) в Вюрцбурге (Wurzburg), являющейся подразделением Института Фраунгофера, состоит из сетки полимерных пироэлектрических и пьезоэлектрических чувствительных ячеек. Технология изготовления таких датчиков достаточно проста, они просто печатаются на поверхности пленки, и позволяет без труда печатать такие датчики больших площадей, полностью покрывающих поверхность экрана мобильного телефона или компьютера.
Но, не все безоблачно на этом фронте. Для усиления очень слабых сигналов, получаемых от датчиков, используются транзисторы из органических полупроводниковых материалов, печатаемые на пленке вместе с датчиками. Для усиления сигналов эти транзисторы должны обладать достаточно большим значением коэффициента усиления или коэффициента передачи. Если бы это были обычные кремниевые транзисторы, то тут проблем не возникло бы, но в случае печатаемых органических транзисторов значение его коэффициента усиления в большей степени определяется толщиной изолирующего слоя, отделяющего управляющий электрод, затвор, от другой части транзистора.
По состоянию на настоящий момент времени ученым удалось достигнуть создания изолятора толщиной 100 нанометров, чего достаточно для проверки работоспособности технологии, но, увы, недостаточно для внедрения этой технологии в массовое производство. Сейчас все усилия ученых направлены на преодоление этого препятствия и получение органических транзисторов с необходимыми характеристиками. Только после этого станет возможной дальнейшая коммерциализация этой технологии.
Источник: dailytechinfo
|
