Южнокорейский гигант полупроводниковой отрасли, компания Samsung Electronics провела церемонию закладки первого камня в фундамент нового производственного комплекса в Сиане (Китай). Оборудование, которое установят на заводе, позволит выпускать микросхемы NAND-памяти по передовому техпроцессу 10-нм класса.
Важность и грандиозность проекта подтверждает присутствие на церемонии множества гостей высокого ранга. Среди приглашенных можно отметить посла Южной Кореи в Китае Кью Хьюнг Ли (Kyu Hyung Lee), министра Экономики и знаний Южной Кореи по промышленности и технологиям Сань-Жик Юна (Sang-Jick Yoon). Всего в торжестве приняли участие около 600 чиновников, а также поставщиков и партнёров Samsung.
Завершение постройки завода и введение его в эксплуатацию запланировано на 2014 год. Совокупные инвестиции в проект составят $7 млрд. Это самое крупное денежное вложение Samsung в Китае.
Источник: 3dnews.ru
|
