Компании Toshiba и SanDisk анонсировали партнерство в области производства трехмерной NAND-памяти, которая будет способна значительно увеличить производительность и емкость SSD-накопителей. Toshiba сообщает, что планирует отдать под партнерство мощности на своем заводе Fab 2 в префектуре Мие в Японии. Здесь будет установлено новое оборудование для выработки новых кремниевых подложек. В SanDisk говорят, что компания предоставит свои научные и технологические разработки в области 3D NAND.
Компании ожидают, что полномасштабное коммерческое производство памяти стартует в 2016 году, когда соответствующий рынок достигнет объемов 4,8 млрд долларов.
В компаниях говорят, что при помощи 3D NAND можно будет начать выпускать SSD-накопители емкостью свыше 1 терабайта, тогда как значительная часть нынешних SSD имеет емкость около 128 Гб. В заявлении сторон сказано, что обе компании верят в большой потенциал NAND-памяти и полагают, что именно за ней будущее систем хранения цифровых данных.
Ясуо Наруке, генеральный директор Toshiba Semiconductor & Storage, говорит, что в модулях 3D-памяти NAND может быть вертикально объединено множество слоев памяти, тогда как нынешние чипы NAND являются «плоскими».
В прошлом году Samsung стала первой компанией, начавшей поставку экспериментальных образцов 3D NAND, однако в терминологии этой компании чипы назывались V-NAND. Согласно Samsung, здесь прирост емкости хранения может быть 10-кратным в сравнении с нынешними чипами памяти. В Samsung используют для стекирования слоев фирменную технологию 3D Charge Trap Flash и 20-нанометровые чипы.
В Toshiba и SanDisk ничего не сообщают о технологических нормах производства, но обещают, что они будут соответствовать рыночным трендам.
Источник: CyberSecurity
|
