Koronator.FM - Радио Некоммерческих Групп
Официальные онлайн-трансляции оффлайновых ФМ радиостанций в бесплатном приложении для Андроид. Без рекламы, без скрытых оплат. Только отборные станции из разных стран мира.
Навигация

Авторские и переводные статьи

Пресс-релизы

Регистрация на сайте


Опрос
Какие телеканалы вы смотрите чаще?



Популярные статьи
  • Какой тип дверного замка выбрать?
  • Выбираем хороший рюкзак на каждый день
  • Качественное оборудование для ветеринарии от EcoRay
  • Чем хорош iphone 13 pro max
  • Советы по выбору мебели для кухни





  • Toshiba и SanDisk займутся чипами 3D NAND


    17 мая 2014 | IT-новости / На русском языке / Азия | Добавил: Olga Kravtsova
    Компании Toshiba и SanDisk анонсировали партнерство в области производства трехмерной NAND-памяти, которая будет способна значительно увеличить производительность и емкость SSD-накопителей. Toshiba сообщает, что планирует отдать под партнерство мощности на своем заводе Fab 2 в префектуре Мие в Японии. Здесь будет установлено новое оборудование для выработки новых кремниевых подложек. В SanDisk говорят, что компания предоставит свои научные и технологические разработки в области 3D NAND.

    Компании ожидают, что полномасштабное коммерческое производство памяти стартует в 2016 году, когда соответствующий рынок достигнет объемов 4,8 млрд долларов.

    В компаниях говорят, что при помощи 3D NAND можно будет начать выпускать SSD-накопители емкостью свыше 1 терабайта, тогда как значительная часть нынешних SSD имеет емкость около 128 Гб. В заявлении сторон сказано, что обе компании верят в большой потенциал NAND-памяти и полагают, что именно за ней будущее систем хранения цифровых данных.

    Ясуо Наруке, генеральный директор Toshiba Semiconductor & Storage, говорит, что в модулях 3D-памяти NAND может быть вертикально объединено множество слоев памяти, тогда как нынешние чипы NAND являются «плоскими».

    В прошлом году Samsung стала первой компанией, начавшей поставку экспериментальных образцов 3D NAND, однако в терминологии этой компании чипы назывались V-NAND. Согласно Samsung, здесь прирост емкости хранения может быть 10-кратным в сравнении с нынешними чипами памяти. В Samsung используют для стекирования слоев фирменную технологию 3D Charge Trap Flash и 20-нанометровые чипы.

    В Toshiba и SanDisk ничего не сообщают о технологических нормах производства, но обещают, что они будут соответствовать рыночным трендам.

    Источник: CyberSecurity
    Комментарии (0) | Распечатать | | Добавить в закладки:  

    Другие новости по теме:


     



    Телепрограммы для газет и сайтов.
    15-ть лет стабильной работы: телепрограммы, анонсы, сканворды, кроссворды, головоломки, гороскопы, подборки новостей и другие дополнительные материалы. Качественная работа с 1997 года. Разумная цена.

    Пополнение за Webmoney:
    - сотовая связь
    - интернет
    - телефония
    - телевидение
    - Oriflame, Faberlic

    Форум

    Фоторепортажи

    Авторская музыка

    Погода

    Афиша

    Кастинги и контакты ТВ шоу

    On-line TV

    Партнеры

    Друзья

    Реклама

    Статистика
    Главная страница  |  Регистрация  |  Добавить новость Copyright © 2002-2012 Все о ТВ и телекоммуникациях. Все права защищены.