Samsung объявила о начале массового производства продвинутой DDR3-памяти, которая будет использоваться в компьютерах. Производится память по 20 нм техпроцессу и использует литографичекую технологию ArF.
Samsung отмечает, что производство оперативной памяти по 20 нм техпроцессу куда сложнее, чем производство по тому же техпроцессу NAND-памяти для флеш-накопителей. NAND-память требует наличия транзистора в каждой ячейке, тогда как DRAM требует наличия связанных транзистора и конденсатора.
Для начала производства этой памяти компании пришлось значительно переработать сам процесс. В будущем это позволит производить память по еще более сложному техпроцессу - 10 нм.
4-гигабайтные модули новой DRAM будут использовать на 25% меньше энергии, чем модули, произведенные по 25 нм техпроцессу.
Samsung начала производство 20 нм 4 ГБ модулей памяти DDR3
Источник: Первый Каталог