Контрактный производитель микрочипов Globalfoundries планирует в 2014 году начать производство нового поколения решений на базе технологической нормы в 14 нанометров. 14-нанометровые чипы будут базироваться на трехмерной транзисторной архитектуре, подобной фирменной технологии Intel Tri-Gate. Как рассказали в компании, 14-нанометровый XM-процесс (eXtreme Mobility) будет задействовать новые транзисторы 3D FiFET, которые предусматривают экономичный расход электроэнергии в мобильных устройствах.
В компании говорят, что перейдут на 14-нм норму уже через год после внедрения нормы в 20 нанометров. Отметим, что ранее компании Intel и Taiwan Semiconductor Manufacturing Co (TSMC) объявили, что в том же 2014 году перейдут на выпуск 14-нанометровых чипов.
Архитектура Globalfoundries 14-нм XM включает в себя комбинацию 14-нанометровых FinFET-транзисторов и технологию экономичного расхода электроэнергии, которая впервые будет опробована на 20-нанометровых чипах. Впервые эти разработки будут объединены именно на 14-нанометровых разработках.
Роджер Кей, аналитик компании Endpoint Technologies Associates, говорит, что на первый взгляд объединение 14- и 20-нанометровых разработок выглядит нелогичным, но сама по себе технология экономичного расхода не имеет жесткой привязки к размеру транзисторов и в большей степени ориентирована на общие архитектурные нужды производителей. "Впервые она будет опробована на 20-нанометровых чипах, тогда как высокая эффективность будет достигнута именно на 14 нанометрах", - говорит Кей.
Что касается 20-нанометровых чипов, то их созданием Globalfoundries занимается совместно с британской ARM Holdings. Ранее две компании уже работали над оптимизацией процессоров ARM Cortex A, но новое сотрудничество компаний расширяет программу партнерства и будут производить 20-нанометровые микрочипы в соответствии с новой производственной технологией FinFET.
Со своей стороны ARM предложит партнерству библиотеку Artisan, компоненты системной логики и памяти, которые лягут в основу новых SoC-систем, а GlobalFoundries будет создавать оптимизированные физические компоненты и тестировать их производительность на основе будущих микроядер ARM Cortex.
Помимо этого, новая инициатива будет охватывать графическую технологию ARM Mali, все более активно используемую в мобильных устройствах.
В Globalfoundries говорят, что 20-нанометровая технология LPM или Low Power Module потенциально может увеличить производительность чипов на 40% при сохранении их физических размеров и энергопотребления на нынешних уровнях. В сравнении с нынешними 28-нанометровыми чипами, 20-нанометровые разработки предусматривают вдвое более плотное размещение элементов чипа.
В более отдаленной перспективе - примерно в 2018 году - производители планируют начать выпуск 10-нанометровых чипов, которые уже будут производиться из 450-миллиметровых кремниевых подложек.
Первые партии 450-миллиметровых подложек компании намерены начать производить в 2016-17 годах, когда ключевой производитель соответствующего оборудования, компания ASML Holdings, в 2015 году начнет производство нового оборудования.
На сегодня в мире работает консорциум Global 450 Consortium, который объединяет чипмейкеров, планирующих переход на новые технологические нормы, связанные с 450-мм подложками. Сейчас туда входят компании Intel, Samsung, IBM, GlobalFoundries и недавно туда вошла TSMC. От каждой компании туда было направлено по 20 инженеров для разработки единых подходов и преодоления общих отраслевых сложностей, связанных с переходом.
Источник: CyberSecurity
|
