Компания Samsung Electronics официально сообщила о начале производства первой в индустрии 4-гигабитной памяти типа LPDDR2 с использованием технологии 20-нанометрового класса. Данные чипы мобильной памяти DRAM, чей серийный выпуск стартовал в минувшем апреле, предназначены для современных портативных устройств, в том числе смартфонов и планшетов, и должны помочь им стать еще легче, быстрее и обеспечить большее время автономной работы по сравнению с сегодняшними решениями.
Существующая тенденция оснащать планшетные компьютеры и даже высококлассные смартфоны мощными четырехъядерными процессорами предъявляет повышенные требования и к памяти для таких устройств, которая должна стать еще более емкой и энергоэффективной, что обеспечивает повышенное быстродействие и возросшее время автономной работы. И новая память Samsung вполне отвечает этим запросам, давая возможность создавать быстрые мобильные устройства в тонком дизайне.
Более того, на основе упомянутой памяти Samsung может создавать и поставлять на рынок модули емкостью 2 ГБ и толщиной всего 0,8 мм, включающие в себя четыре 4-гигабитных чипа LPDDR2. Подобная упаковка имеет примерно на 20 процентов меньшую толщину по сравнению со своим аналогом с 4-гигабитными чипами, изготовленными по техпроцессу 30-нм класса. Помимо прочего, новая методика обеспечивает скорость работы на уровне 1066 Мбит/с, а сама данная память обещает быть очень востребованной на рынке.
Источник: Ferra
|
