Компания HP объявила о значительном продвижении вперед в разработке технологии хранения данных, позволяющей уместить 20 Гб полезной информации в объеме одного кубического сантиметра. Новая разработка HP основана на так называемых мемристорах, представляющих собой пассивные микроэлектронные элементы, обладающие способностью менять свое сопротивление.
В основе мемристора лежит сверхтонкая пленка диоксида титана, разрушаемая электрическим током. В результате этого процесса отдельные атомы начинают перемещаться и, таким образом, изменяется сопротивление материала. При этом команде исследователей из HP удалось не просто создать трехмерный массив мемристоров, работающий схожим образом с синапсами в мозгу, но и увеличить их скорость переключения до уровня, сопоставимого с традиционными кремниевыми транзисторами.
Основное преимущество мемристорной технологии заключается в значительном уменьшении размеров отдельных элементов и, как следствие, в возрастании плотности памяти. В то время как существующая память на основе транзисторов производится по нормам 30-40 нм технологии, в лабораториях HP уже созданы 3 нм мемристоры, скорость переключения которых составляет всего около наносекунды.
Доктор Стэн Уильямс (Stan Williams) полагает, что менее чем через три года мемристорная технология позволит уместить 20 Гб данных в объеме одного кубического сантиметра, то есть обычного кусочка сахара, а также найдет свое применение в других областях науки и техники. Помимо прочего, мемристорная технология обещает снижение энергопотребления, поскольку атомы после завершения переноса не требуют энергии для поддержания текущего состояния.
Источник: Ferra
|
