Навигация

Авторские и переводные статьи

Пресс-релизы

Регистрация на сайте


Опрос
Какие телеканалы вы смотрите чаще?



Популярные статьи





Samsung начинает массовое производство памяти формата PRAM


23 сентября 2009 | IT-новости / Технологии / Мир / На русском языке | Добавил: Ольга Кравцова
Южнокорейский производитель чипов памяти Samsung Electronics начал промышленное производство новых 512-мегабайтных чипов памяти, созданных по технологии PRAM. Созданы чипы по 60-нм технологическому процессу, а также с применением фирменной патентованной технологии OneDRAM, объединяющей ряд новых и ранее использованных технологий оперативной памяти.

В компании говорят, что в ближайшие месяцы компания представит гигабайтные модули PRAM, а в перспективе именно этот формат станет для Samsung основным в линейке встраиваемой памяти, полностью заместив собой существующие образцы NOR-памяти.

Новые чипы обладают рекордной скоростью работы, как сообщают в Samsung, 512-мегабайтный чип может стирать до 64 000 логических слов за 80 миллисекунд, что в 10 раз быстрее, чем NOR-память. Записывается информация здесь сегментами, максимальный размер которого составляет 5 мегабайт, причем скорость записи у PRAM также в 8 раз быстрее, чем у NOR.

Инженеры говорят, что PRAM является более современным форматом в сравнении в флеш-памятью формата NOR, вместе с тем, в компании подчеркивают, что сферы применения данных разновидностей памяти будут различаться. Новинка обладает расширенным ресурсом, позволяющим гарантировать более 100 миллионов циклов записи, причем память будет энергонезависимой и расчетное время продолжительности хранения данных превышает 10 лет.

В компании отмечают, что свои разработки в области новой памяти также ведут Intel, Hitachi и IBM и все эти компании позиционируют PRAM-память как универсальное решение, придущее на смену NOR.

Специалисты говорят, что на сегодня самой быстрой компьютерной памятью является DDR-пямять, используемая в качестве ОЗУ компьютеров и серверов, время ее доступа к данным составляет около 3 нс. Большинство образов флеш-памяти, используемой в фотоаппаратах, плеерах и прочих устройствах, имеет время доступа 50-90 нс. Разработки PRAM на сегодня имеют время доступа 20 нс, что конечно же не так быстро как DDR, однако у этих исследований еще большой резерв. И в Intel замечают, что если PRAM-память достигнет скорости DDR, то компьютеры уже ближайшего будущего не будут обладать жестким диском и оперативной памятью - эти устройства заменит единый модуль.

Источник: CyberSecurity
Комментарии (0) | Распечатать | | Добавить в закладки:  

Другие новости по теме:


 



Телепрограммы для газет и сайтов.
25-ть лет стабильной работы: телепрограммы, анонсы, сканворды, кроссворды, головоломки, гороскопы, подборки новостей и другие дополнительные материалы. Качественная работа с 1997 года. Разумная цена.

Форум

Фоторепортажи

Авторская музыка

Погода

Афиша

Кастинги и контакты ТВ шоу

On-line TV

Партнеры

Друзья

Реклама

Статистика
Главная страница  |  Регистрация  |  Добавить новость Copyright © 2002-2012 Все о ТВ и телекоммуникациях. Все права защищены.