Компании РОСНАНО и Crocus Technology объявили о заключении инвестиционного соглашения и создании в России производства памяти MRAM следующего поколения. Инвестиции в размере $300 млн пойдут на образование компании Crocus Nano Electronics (CNE), которая построит завод по производству памяти MRAM с проектными нормами 90 и 65 нм. Чипы MRAM (magnetoresistive random access memory) представляют собой магниторезистивную память, принцип действия которой заключается в магнитной поляризации элементов ячеек. Это, в свою очередь, дает энергонезависимость и устойчивость к различным воздействиям. Crocus Technology обладает рядом патентов в создании таких устойчивых к радиации чипов и ключевой технологией термического переключения (Thermally Assisted Switching).
РОСНАНО инвестирует в проект 3,8 млрд рублей ($140 млн), остальные средства внесут другие инвесторы. $125 млн пойдет на строительство завода, а еще $120 млн - на расширение производства с перспективой совершенствования технологического процесса до норм 45 нм.
На стандартные 300-миллиметровые пластины, произведенные по технологии КМОП, на заводе будут наноситься дополнительные слои для создания устройств MRAM. Первоначально планируется объем выпуска до 500 пластин в неделю, с перспективой увеличения его до 1000. Ключевыми рынками продукции станут системы хранения данных, мобильные и сетевые устройства, но наиболее конкурентно способной может оказаться космическая отрасль.
Источник: www.3dnews.ru
|
