Твердотельные накопители Intel начального уровня X25-V (Value) объёмом 40 Гб пользуются успехом благодаря своей относительно невысокой стоимости. Они производятся на 34-нм техпроцессе с использованием технологии многоуровневых ячеек (MLC) флеш-памяти NAND, отличающейся невысокой ценой изготовления в сравнении с SLC, но и более низкими показателями скорости работы и надёжности.
Что касается линейки производительных решений X25-E (Extreme), то данные решения также представляют собой одно из лучших предложений за свою цену. Модели ёмкостью 32 Гб и 64 Гб обладают скоростью чтения и записи соответственно 250 Мб/с и 170 Мб/с при энергопотреблении около 2,5 Вт, а в неактивном режиме — 0,06 Вт. Столь высокие скоростные показатели обеспечило использование технологии одноуровневых ячеек (SLC) памяти, а также 10-канального контроллера. Что касается технологического процесса, то используется довольно старые 50-нм нормы производства.
Похоже, что в текущем году Intel не намерена убирать X25-E из верхнего ряда своих предложений. Однако в первой четверти 2011 года, как сообщают индустриальные источники, компания планирует представить новую линейку транзисторных накопителей под кодовым именем Lyndonville, в которую войдут 3 модели различной ёмкости: 100, 200 и 400 Гб.
Накопители рассчитаны на корпоративный сегмент рынка и поэтому должны обладать отличными показателями скорости. Для их производства будет задействован 25-нм техпроцесс и, что важно отметить, технология MLC. Вероятно, её недостатки перед SLC будут компенсированы более совершенной управляющей электроникой.
Источник: 3DNews
|
