Компания SanDisk сообщила об удвоении емкости чипов памяти iNAND, которые используются в составе мобильных телефонов и прочей портативной техники.
Новые чипы памяти SanDisk iNAND Embedded Flash Drives (EFD) производятся на основе технологии X3 (3-bit-per-cell) NAND по нормам 32-нанометрового технологического процесса, в результате чего емкость одного чипа удалось повысить до 64 ГБ. Такие устройства соответствуют требованиям спецификации e.MMC 4.4 и могут служить в качестве загрузочных устройств, систем хранения данных пользователя и систем хранения системного кода. Все эти функции одновременно может выполнять один чип.
Каждый такой чип содержит восемь отдельных кристаллов памяти и собственный контроллер. Данное устройство имеет размеры 16x20x1,4 мм и поставляется в упаковке форм-фактора BGA, что упрощает процесс его интеграции в смартфоны. Отмечается, что благодаря применению прогрессивного технологического процесса высокоемкая микросхема памяти отличается низким потреблением энергии. Кроме того, за счет объединения различных функций хранения данных в рамках одного чипа удалось сократить требования к наличию свободного места на печатной плате мобильного устройства, тем самым снизив его массо-габаритные характеристики, стоимость производства и энергопотребление.
Отмечается, что новые чипы памяти SanDisk iNAND емкостью от 4 до 64 ГБ доступны для заказа производителями мобильных устройств.
Источник: itc
|
